HVM-5000型絕緣電阻測試儀

工作原理：

本儀器是根據(jù)絕緣電阻測量的基本要求，采用新電子電路設(shè)計(jì)而成的，其基本原理是采用電壓、電流法測量被測物的電阻值：R=V/I。機(jī)內(nèi)的存儲(chǔ)、運(yùn)算電路使本機(jī)可自動(dòng)測量吸收比（R1min/R15s）和極化指數(shù)（R10min/R1min）。

本儀器采用高壓逆變電路將DC供電逆變?yōu)轭~定高壓輸出1000V、2500V、5000V，10000V施加到被測試品兩端，采用了先進(jìn)電壓、電流采樣電路，將采樣被測試品兩端的電壓和流經(jīng)被測試品體內(nèi)的電流量實(shí)行除運(yùn)算，得到數(shù)字量結(jié)果輸出到高精度A/D器，將A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果輸出MCU電路處理。并由LCD數(shù)顯示屏直接讀取電阻值，該A/D轉(zhuǎn)換器在啟動(dòng)高壓測試后的第15s、1min、10min時(shí)自動(dòng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并將數(shù)據(jù)存入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器；存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)可自動(dòng)或手動(dòng)調(diào)出讀取，也能進(jìn)行R1min/R15s、R10min/R1min運(yùn)算，并讀出數(shù)值。

產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、HVM-5000型絕緣電阻測試儀具有結(jié)構(gòu)緊湊，操作方便，內(nèi)置可充電電池，也可配備普通電池使用等特點(diǎn)；可以用于容性試品的吸收比和極化指數(shù)，以及局部絕緣等方面的測試；HVM-5000型的電阻測量zui大可以達(dá)到500G。
2、本儀器借鑒國內(nèi)外同類產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用微處理器制造技術(shù)，設(shè)計(jì)*，液晶顯示清楚明了，同時(shí)絕緣電阻讀數(shù)具有數(shù)模顯示功能；
3、常規(guī)電壓設(shè)置有500V，1000V，2500V，5000V四檔可供選擇。
4、打開儀器電源后，系統(tǒng)自動(dòng)自檢并校正測量系統(tǒng)，自檢可以防止在測量系統(tǒng)與預(yù)設(shè)范圍不符情況下（溫度，濕度）進(jìn)行測試。
5、測試開始時(shí)，儀器的指示燈閃爍，警告有高壓輸出，內(nèi)置計(jì)時(shí)器開始計(jì)時(shí)，并顯示測試進(jìn)行的具體時(shí)間（分/秒），一旦到達(dá)設(shè)定時(shí)間，系統(tǒng)將自動(dòng)停止輸出電壓。
6、電池電量提示始終有顯示，如果電池符號(hào)顯示空格時(shí)，需要對(duì)電池重新充電，電池充電由外部電源220V交流，50~60HZ進(jìn)行充電。

技術(shù)參數(shù)：
電容范圍                                          0.1uF~10uF   
電容測量精度（0~30℃）             ±15%±0.03uF
電容充電時(shí)間                                 <1.5秒/uF,充電至5000V
電容放電時(shí)間                                 <1秒/uF,放電后電壓小于50V
電池供電時(shí)間                                 典型值為16小時(shí)連續(xù)測試
·測試電壓（直流）                        500~5000v
·電壓測量精度                                誤差±2%±1V 
·短路電流                                        大于5mA（正常值） 
·絕緣電阻范圍                                500KΩ~500GΩ
·短路電流                                        大于5mA（正常值） 
·濕度                                                40℃時(shí)90°相對(duì)濕度 
·溫度范圍                                        工作溫度：-10℃～+40℃
                                                         存儲(chǔ)溫度：-20℃～+50℃
絕緣精度： 
        ±5%    1MΩ~50GΩ，電壓5000V；
        ±5%    1MΩ~5GΩ，  電壓500V； 
        ±20%  500KΩ~1MΩ， 電壓5000V；
                     50GΩ~500GΩ，電壓5000V；
        ±20%  500KΩ~1MΩ，電壓500V；
                     5GΩ~50GΩ，  電壓500V；